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数量:37 |
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| 规格书 |
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| 标准包装 | 250 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 1.93GHz |
| 增益 | 17.2dB |
| 电压 - Test | 28V |
| 当前 Rating | 10µA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 1.4A |
| Power - 输出功率 | 50W |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | NI-880S |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3NI-880S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大门源电压 | -6|10 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | NI-880S |
| 标准包装名称 | NI-880S |
| 最大频率 | 1990 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 50 |
| Typical Drain Efficiency | 32 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 17.2 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | NI-880S |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 1.93GHz |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 电流 - 测试 | 1.4A |
| 额定电流 | 10µA |
| 功率 - 输出 | 50W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
| 系列 | MRF7S19170H |
| 单位重量 | 0.238367 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工作温度范围 | -65C to 225C |
| 包装类型 | NI-880S |
| 元件数 | 1 |
| 操作模式 | 1-Carrier W-CDMA |
| 筛选等级 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 驻波比（Max ） | 5 |
| 频率（最大） | 1990 MHz |
| 频率（最小值） | 1930 MHz |
| 输出电容（典型值） @ VDS | 703@28V pF |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 17.2 dB |
| 漏极效率（典型值） | 32 % |
| 反向电容（典型值） | 0.9@28V pF |
| 输出功率（最大） | 50W |
| 漏源电压（最大值） | 65 V |
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